Caratterizzazione sperimentale e simulazione TCAD di transistori di potenza basati su semiconduttori wide-bandgap.

scadenza: 21 settembre 2021
1 posto
19.367

Periodo di riferimento:
12 mesi
N. protocollo:
476
Responsabile di procedimento:
Prof.ssa Elena Gnani
Struttura:

CENTRO RICERCA SISTEMI ELETTRONICI INGEGN.INF. E TELECOM."ERCOLE DE CASTRO"

La domanda può essere presentata ESCLUSIVAMENTE mediante modalità telematica accedendo al sito internet https://concorsi.unibo.it
The application must be presented exclusively via web, connecting to the “FrontOffice” within the website https://concorsi.unibo.it -

Esiti

Esito
Ammessi al colloquio

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