Studio delle proprietà di trasporto e di affidabilità di transistori HFET in AlScN/GaN per applicazioni ad alte tensioni ed alte frequenze

scadenza: 24 ottobre 2021
1 posto
19.703

Periodo di riferimento:
12 mesi
N. protocollo:
642
Responsabile di procedimento:
Prof.ssa Elena Gnani
Struttura:

CENTRO RICERCA SISTEMI ELETTRONICI INGEGN.INF. E TELECOM."ERCOLE DE CASTRO"

La domanda può essere presentata ESCLUSIVAMENTE mediante modalità telematica accedendo al sito internet https://concorsi.unibo.it
The application must be presented exclusively via web, connecting to the “FrontOffice” within the website https://concorsi.unibo.it -

Esiti

Esito
Ammessi al colloquio

Bando

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