TCAD study of the potential performance for InGaAs and GaN nano-sheet FET/HEMTs

scadenza: 09 gennaio 2025
1 posto
19.367

Periodo di riferimento:
12 mesi
N. protocollo:
1372
Responsabile di procedimento:
Dott. Massimo Vaccari
Struttura:

CENTRO RICERCA SISTEMI ELETTRONICI INGEGN.INF. E TELECOM."ERCOLE DE CASTRO"

La domanda può essere presentata ESCLUSIVAMENTE mediante modalità telematica accedendo al sito internet https://concorsi.unibo.it
The application must be presented exclusively via web, connecting to the “FrontOffice” within the website https://concorsi.unibo.it -

Bando

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