Avviso pubblico di selezione per affidamento di un incarico di lavoro autonomo occasionale con oggetto "Modellistica fisica ed analisi sperimentale di difetti all’interfaccia di SiC/SiO2 e definizione di un setup TCAD per la simulazione di dispositivi MOSFET, BJT e IGBT di prossima generazione”

Mi interessa se:

I requisiti di ammissione alla valutazione comparativa sono i seguenti: Laurea (Vecchio Ordinamento) o Laurea Specialistica/Magistrale (Nuovo Ordinamento) in Ingegneria Elettronica oppure in Advanced Automotive Electronic Engineering; Esperienze e competenze specifiche nei seguenti ambiti: simulazione numerica dei dispositivi microelettronici; Non aver riportato condanne penali e/o di non aver procedimenti penali pendenti tali da determinare situazioni di incompatibilità con l’incarico da espletare; Godimento dei diritti civili e politici; Adeguata conoscenza della lingua italiana, se cittadino straniero.
Profilo ricercato:
Sono previste le seguenti attività: Analisi dei dati sperimentali C-V e C-f di alcuni dispositivi MOSCap realizzati presso il Royal Institute of Technology KTH in Svezia ed estrazione dei difetti nell’ossido e all’interfaccia; Preparazione del setup di simulazione numerica dei dispositivi MOSCap analizzati utilizzando gli strumenti di simulazione TCAD SDevice di Synopsys; Simulazione numerica dei dispositivi e confronto con i dati sperimentali; Studio delle prestazioni di un BJT verticale di potenza assumendo la distribuzione di difetti all’interfacci sia per quanto riguarda l’elettrostatica che la mobilità superficiale.
Periodo di riferimento:
30 giorni a decorrere da Aprile 2026
Responsabile di procedimento:
Dott.ssa Barbara Di Placido
N. protocollo:
195

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